7月14日，以色列晶圆代工龙头Tower Semiconductor宣布将在日本并行双轨战略扩张其300mm硅光子(SiPho)、硅锗(SiGe)和先进封装能力。该计划总投资40亿美元，预计由Tower投入约30亿美元，日本政府拟提供约10亿美元支持。

双轨战略

此次扩产采用“双轨”模式。

第一轨道将增加大量新的300mm硅光子产能，预计在2027年第四季度实现全面生产准备。它包括重新利用Arai工厂（以前的Fab6）来生产300mm硅光子产能和先进的封装能力，从而最大限度地提高公司在鱼津的Fab7 300mm产量。考虑到第一轨道的增长前景，Tower正在更新其业务模式，目标是在2028年实现36亿美元的收入和12亿美元的净利润。

第二轨道将与第一轨道并行开始，包括在签署并完成相关协议后，在Fab7附近建造一座额外的300毫米制造设施。该设施预计将使硅光子和硅锗产能增加数倍，使Tower能够支持不断增长的客户对新兴人工智能和数据中心应用的需求，推动下一代光连接需求。

为什么是300mm硅光晶圆？

过去几十年，集成电路依靠电子传输数据，但随着AI大模型、高性能计算的爆发，传统铜互连面临两大物理瓶颈：带宽天花板（数据传输速率受限）和功耗墙（电信号传输能耗急剧上升）。与此同时，光通信虽具备高带宽、低延迟、低功耗的优势，但传统分立式光器件体积大、成本高，难以与芯片级需求匹配。硅光技术应运而生，旨在利用成熟的CMOS半导体工艺，将激光器、调制器、探测器等光子器件集成在硅基芯片上，实现“光电融合”。

800G/1.6T光模块放量，CPO（共封装光学）被英伟达、博通押为下一代AI网卡/交换机互连方案，硅光因为能用CMOS工艺代工、成本可摊薄，成了最优载体。全球能做300mm硅光代工的玩家屈指可数，Tower、Intel、Global Foundries三家为主。

硅光早期研发和部分量产主要基于200毫米晶圆平台。随着AI数据中心需求快速增长，300毫米晶圆平台的重要性开始提高。相比200毫米晶圆，300毫米平台能够在单片晶圆上制造更多芯片，并更容易利用成熟的先进半导体自动化制造体系。

Tower是一家高价值模拟半导体解决方案的领先代工厂，其业务能力涉及可定制的工艺平台，例如SiPho、SiGe、BiCMOS、混合信号/CMOS、RFCMOS、CMOS图像传感器、非图像传感器、显示器、集成电源管理（BCD和700V）和MEMS。

目前日本正在通过政府补贴和产业政策强化本土半导体制造能力，此次Tower项目聚焦硅光子、硅锗和先进封装，能够补充日本在AI通信、特色工艺和光电融合制造方面的能力，同时也反映了日本对硅光子和AI基础设施供应链的战略重视。

参考来源：Tower

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