CPO（光电共封装）和硅光集成走到今天，"拼图"其实已经拼得七七八八——调制器从MZM卷到微环、激光器从片外耦合卷到异质集成/外置ELSFP、光纤耦合从FAU卷到Teramount无源对准——但有一块始终没被很好地补齐：通信波段的硅基光电探测。

这不是个小问题。硅的间接带隙约1.12 eV，对应截止波长~1.1 μm，1310 nm和1550 nm这两个CPO和硅光芯片的"母语波长"，硅天生看不见。要做探测，传统路子是挂InGaAs等III-V材料——但这就背离了硅光最核心的叙事：CMOS工艺兼容、单片集成、低成本。一旦探测端要额外键合III-V，CPO追求的"全硅光链路"就被撕开一道口子，封装复杂度、良率、成本全线承压。

所以业内有个越来越清晰的共识：谁能把短波红外（SWIR，1.3–2 μm）探测"塞回"硅平台，且做到室温工作、工艺干净、成本低，谁就替CPO拼上了最后那块关键拼图——片上监控、负载均衡、路由切换、故障定位这些"芯片自己要知道光还在不在"的功能，才有落地的物理基础。

8月12日，中粉会展将在江苏苏州举办2026光电共封装技术与硅光芯片产业研讨会，我们邀请到苏州大学张程副教授出席大会并作题为《面向CPO与硅光集成的硅基短波红外光电探测技术》的报告，届时，张程副教授将围绕面向CPO与硅光集成的硅基短波红外光电探测技术展开，针对硅材料受带隙限制难以实现 1.3–2 μm 尤其通信波段（1310/1550 nm）光探测的关键问题，分享兼具低成本、CMOS工艺兼容及室温工作能力的新型硅基探测方案。

CPO的竞争已经进入"拼全链路集成度"的深水区。调制、激光、耦合、封装都在快速演进，探测这块谁能先把CMOS兼容方案跑通，谁就可能在下一代硅光芯片的"片上监控与传感"版图里占下一个关键锚点。

8月12日，苏州，听张程副教授拆解这个"硅的盲区"如何被微纳结构点亮。

专家介绍：

张程，男，副教授，硕士生导师。2018年6月博士毕业于苏州大学，博士毕业后入选苏州大学优秀青年学者人才计划留校工作。主持国家和江苏省自然科学青年基金、江苏省高校重大项目、苏州市前瞻性应用基础研究项目等。入选江苏省科协青年科技人才托举工程和江苏省高校青蓝工程，担任《红外与激光工程》青年编委。主要研究方向为硅基室温短波红外光电探测与应用。以第一或通讯作者在 Light: Science & Applications、Advanced Functional Materials （2篇）、ACS Nano、Nano Energy（3篇）、ACS Photonics（5篇）等期刊发表论文二十余篇，授权中国及美国发明专利十余项，研究成果获2019年度中国光学学会光学科技二等奖、2019年教育部自然科学二等奖等奖励。

注：图片非商业用途，存在侵权告知删