近日，由浙江先导微电子科技有限公司投建的高端化合物半导体衬底生产线项目正式完成投资备案，落户浙江衢州，标志着国产磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）衬底扩产迈出关键一步。

据官方备案信息，项目总投资20亿元，其中核心固定资产投资17亿元，建设周期为2026年8月至2029年8月。项目依托企业现有厂区升级扩建，引入高端晶体生长、精密抛光、缺陷检测等核心设备，主打4—6英寸高端砷化镓、磷化铟单晶衬底，建成达产后将形成年产砷化镓衬底300万片、磷化铟衬底300万片合计600万片高端产能，精准匹配高端光芯片、高速光模块等应用场景。

磷化铟赛道升温，AI光通信催生产能竞赛

磷化铟是制备高速光通信激光器芯片的核心衬底材料，伴随AI数据中心与800G/1.6T光模块需求爆发，全球InP衬底供需缺口持续拉大。行业数据显示，2026年全球磷化铟衬底需求已攀升至260万—300万片区间，而全球有效产能仅约75万片，缺口超过70%。

磷化铟衬底，图片来源：先导科技集团

这一紧平衡格局推动海内外厂商同步加码：日本住友电工近期宣布追加约180亿日元（约合7.5亿元人民币）扩产，将InP衬底产能提升至2024财年的3.1倍；JX金属则规划在2030财年前最高投入1200亿日元（约合50亿元人民币），将光通信用InP衬底产能较2025年度提升7—10倍。海外双巨头激进扩产的背后，是对InP中长期紧缺的共识，也为国产替代打开了关键窗口。

先导科技集团：从稀散金属到光模块的垂直一体化

先导科技集团于1995年开始涉足稀散金属行业，2003年在清远正式成立（先导稀材），是一家全球领先的专业从事稀散金属及其高端材料、器件、模组、系统的研发、生产、销售和回收服务的高新技术企业。光通信领域，先导科技集团已搭建起"上游稀散金属提纯—衬底—外延—光芯片—光模块"的垂直一体化链条。

本次项目主体浙江先导微电子是先导科技集团旗下核心半导体材料平台，也是国内首家实现6英寸磷化铟衬底量产的企业，同时具备8英寸砷化镓衬底量产能力。其产品位错密度、表面平整度等核心指标已对标国际一线品牌，目前稳定供货国内头部光芯片、光模块厂商。

国产InP抢跑AI周期

衢州项目达产后，仅磷化铟单一品类即可贡献300万片年产能，体量已可与海外大厂扩产后的供应能力同台对照。

短期看，这是先导匹配AI光通信订单的产能储备；中长期看，项目至少承载三层价值：一是补短板，600万片高端衬底产能将显著缓解高速光模块、AI算力链的关键材料对外依赖；二是强集群，衢州化合物半导体材料生态借势进一步闭合；三是抢窗口，在住友、JX等海外厂商激进扩产的同期，国产InP能否借这一轮AI周期把市占率打上去，先导衢州项目的达产节奏会是重要观察锚点。

参考来源：先导科技集团

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