Stellar Oxide Ⅰ系统是专为满足研究需求的氧化物生长MOCVD设备，设备采用先进控制系统，实现高精度生长，确保材料质量；模块化设计，操作简便，高效稳定；支持灵活定制，满足多样化科研需求；专业团队提供全方位服务，是探索氧化物材料、推动科研创新的理想选择。

产品特点

—   衬底规格：1*2"

—   工艺温度：20-1000℃

—   典型生长材料：氧化物，如 Ga2O3、ZnO等

—   气路漏率：≤ 1.0*10-9 mbar*l/s

—   前驱体：TMGa可扩展至多8路源