Stellar Nitride Ⅱ系统专为满足大规模生产需求而设计。设备采用先进的自动化控制系统，实现工艺参数精准调控，确保材料高质量生长；优化的反应腔设计与高效气体输送系统，显著提升生产效率和产能稳定性；模块化结构，易于维护升级，降低停机时间。支持灵活配置，适配多种氮化物材料生产。我们提供全面的技术支持和工艺解决方案，助力客户实现高效量产与成本优化。

产品特点

—  衬底规格：6*2”，3*3“，1*6”

—   工艺温度：20-1400℃

—   典型生长材料：GaN，GaAs，InP，锌扩散

—   前驱体：TMGa、TMAl、DEZn可扩展至多10路MO源

—   气路漏率：≤ 1.0*10-9 mbar*l/s